，根據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，三星組建了一支專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā) 4F square DRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)。相比較現(xiàn)有的 6F square 級(jí)別，在不改變工藝節(jié)點(diǎn)的情況下，芯片面積最高可減少 30%。

4F Square 是一種單元結(jié)構(gòu)技術(shù)，DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化，但最后以失敗告終。

三星組建了專(zhuān)業(yè)的團(tuán)隊(duì)，研發(fā) 4F square 結(jié)構(gòu)。IT之家從韓媒報(bào)道中獲悉，晶體管根據(jù)電流流入和流出的方向，形成源極、柵極(G)和漏極(D)整套系統(tǒng)。

在漏極上方安裝一個(gè)存儲(chǔ)電荷的電容器，晶體管和水平排列的 WL 線(xiàn)和垂直排列的 BL 線(xiàn)接觸，其中 WL 連接到柵極(G)，負(fù)責(zé)晶體管的開(kāi) / 關(guān)；而 BL 連接到源極(S)，負(fù)責(zé)讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)。

鄭重聲明：此文內(nèi)容為本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載企業(yè)宣傳資訊，目的在于傳播更多信息，與本站立場(chǎng)無(wú)關(guān)。僅供讀者參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。