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，據(jù)廈門大學(xué)物理學(xué)系官方消息，近日，廈門大學(xué)成功實(shí)現(xiàn)了 8 英寸碳化硅(SiC)同質(zhì)外延生長(zhǎng)，成為國(guó)內(nèi)首家擁有并實(shí)現(xiàn)該項(xiàng)技術(shù)的機(jī)構(gòu)。

據(jù)介紹，作為第三代半導(dǎo)體的主要代表之一，碳化硅與硅相比，具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率，其在高溫、高壓、高頻領(lǐng)域表現(xiàn)出色。基于碳化硅的電力電子器件已廣泛地應(yīng)用于航空航天、新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

當(dāng)前主流的碳化硅單晶與外延生長(zhǎng)還處于 6 英寸階段，擴(kuò)大尺寸成為產(chǎn)業(yè)鏈降本增效的主要路徑，然而在邁向 8 英寸過(guò)程中還存在諸多技術(shù)難題。

廈門大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，通過(guò)克服了 8 英寸襯底應(yīng)力更大、更易開裂、外延層厚度均勻性更難控制等問(wèn)題，成功實(shí)現(xiàn)了基于國(guó)產(chǎn)襯底的碳化硅同質(zhì)外延生長(zhǎng)。外延層厚度為 12 um，厚度不均勻性為 2.3 %；摻雜濃度為 8.4×10?? cmˉ?，摻雜濃度不均勻性＜7.5 %；表面缺陷密度＜ 0.5 cmˉ?。

上述科研團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示，本次突破，標(biāo)志著我國(guó)已掌握 8 英寸碳化硅外延生長(zhǎng)的相關(guān)技術(shù)。該技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，是廈門大學(xué)與瀚天天成電子科技 有限公司等單位產(chǎn)學(xué)研合作的成果，將為我國(guó)碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的動(dòng)力，同時(shí)推動(dòng)新能源等相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展。

IT之家查詢獲悉，廈門大學(xué)物理學(xué)科始創(chuàng)于 1923 年，是中國(guó)高校較早設(shè)立的物理學(xué)科之一，在中國(guó)物理學(xué)發(fā)展史上扮演了重要角色。廈大物理曾參與中國(guó)第一個(gè)五校聯(lián)合半導(dǎo)體專門化；研制出了中國(guó)第一塊導(dǎo)電玻璃、第一臺(tái)晶體管收音機(jī)、第一個(gè)磷化鎵平面發(fā)光二極管。

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