記者12日從中國科大獲悉，中國科大國家示范微電子學(xué)院龍仕兵教授的兩篇氧化鎵器件研究論文在美國三藩市舉行的第68屆國際電子器件大會(huì)上被接受。

IEEE DM是關(guān)于微電子和納米電子學(xué)的年度學(xué)術(shù)會(huì)議它是報(bào)告半導(dǎo)體和電子設(shè)備技術(shù)，設(shè)計(jì)，制造，物理和建模領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)突破的世界頂級論壇IEEE DM與ISSCC和VLSI一起被稱為集成電路和半導(dǎo)體領(lǐng)域的奧林匹克盛會(huì)

如何開發(fā)有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極的邊緣電場，是氧化鎵肖特基二極管的研究熱點(diǎn)由于氧化鎵的p型摻雜目前還沒有解決，與PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點(diǎn)在氧化鎵異質(zhì)結(jié)前期研究的基礎(chǔ)上，龍冰研究組成功地將異質(zhì)結(jié)終端擴(kuò)展結(jié)構(gòu)應(yīng)用于氧化鎵肖特基二極管本研究通過合理的設(shè)計(jì)優(yōu)化了JTE區(qū)的電荷濃度，保證了在最大程度削弱肖特基邊緣電場的同時(shí)，二極管的正向特性不受影響，從而有效提高了器件的耐壓優(yōu)化后的器件實(shí)現(xiàn)了2.9mω·cm2的低導(dǎo)通電阻和2.1kV的高擊穿電壓，其功率品質(zhì)因數(shù)高達(dá)1.52 GW/cm 2此外，利用該優(yōu)化工藝成功制作并封裝了大面積氧化鎵肖特基二極管

光電探測器在目標(biāo)跟蹤，環(huán)境監(jiān)測，光通信，深空探測等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用響應(yīng)度和響應(yīng)速度是光電探測器的兩個(gè)關(guān)鍵性能參數(shù)但是，這兩個(gè)指標(biāo)之間是一種制約關(guān)系，兩者之間是有取舍的龍冰團(tuán)隊(duì)引入了額外的輔助光源來實(shí)現(xiàn)相反的光柵控制方案，以緩解上述限制

本文提出了光電探測器芯片中數(shù)千萬像素共用一個(gè)輔助LED的策略，緩解了響應(yīng)性和響應(yīng)速度之間的制約，對提高光電探測器芯片的綜合性能具有重要的參考意義。

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