最近幾天，國星光電研究院以TO—247—4L的形式推出NSiC—KS系列產(chǎn)品，可應(yīng)用于移動儲能，光伏逆變器，新能源汽車充電樁等場景。

本站了解到，伴隨著工業(yè)4.0時代和新能源汽車的快速普及，工業(yè)電源和高壓充電器對功率器件的開關(guān)損耗和功率密度的要求不斷提高新型高頻器件SiC MOSFET以其高耐壓，低導(dǎo)通電阻，低導(dǎo)通損耗等優(yōu)良特性占領(lǐng)新能源市場

國電的封裝技術(shù)通過科學(xué)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，采用帶輔助源引腳的TO—247—4L作為NSiC—KS系列產(chǎn)品的封裝形式，并應(yīng)用于SiC MOSFET，在開關(guān)損耗和分立器件驅(qū)動設(shè)計(jì)方面取得了新的突破。

以國家之星電源公司第三代半導(dǎo)體NSiC系列1200v 80mωSiC MOSFET產(chǎn)品為例，采用NSiC—KS封裝SiC MOSFET避免了驅(qū)動電路和電源電路共用源電路，實(shí)現(xiàn)了兩個電路的解耦，使NSiC—KS封裝SiC MOSFET的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗明顯降低，開關(guān)頻率更快，寄生電感和假導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)更低。

為滿足市場需求，國星光電的NSiC—KS SiC MOSFET產(chǎn)品有多種型號同時，基于公司完整的SiC分立器件生產(chǎn)線，國星光電可以根據(jù)客戶需求提供高性能，高可靠性，高質(zhì)量的產(chǎn)品技術(shù)解決方案

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