在9月份大規(guī)模生產(chǎn)3納米工藝后，TSMC的下一代工藝已經(jīng)在路上了2納米工藝將在未來兩年內(nèi)取代3納米工藝這一代工藝也會放棄FinFET晶體管，像三星，英特爾一樣走向GAA環(huán)繞柵晶體管技術(shù)

TSMC在6月正式宣布了2納米工藝，并透露了一些技術(shù)細(xì)節(jié)與3nm工藝相比，2nm的速度在相同功耗下快10 ~ 15%在相同速度下，功耗降低25~30%

但在晶體管密度方面，2nm工藝的提升并不那么令人滿意，僅比3nm高10%，遠(yuǎn)低于過去至少70%的提升根據(jù)摩爾定律，密度應(yīng)該增加100%才能被認(rèn)為是新一代工藝

另外，TSMC 2nm工藝的量產(chǎn)時(shí)間要等到2025年下半年，也就是說終端產(chǎn)品的出貨要等到2026年，升級周期會比現(xiàn)在的節(jié)點(diǎn)慢很多。

為什么2nm工藝的密度提升有限第一批客戶是什么這些關(guān)鍵問題需要TSMC來回答就在8月30日，公司將召開技術(shù)論壇會議，2nm工藝勢必是明天的焦點(diǎn)TSMC屆時(shí)應(yīng)該會公布更多細(xì)節(jié)

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